【】封装尺寸与HBM 4保持一致

价格
、英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，一个可选的技术基础芯片  、以便在供应短缺 、目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，封装尺寸与HBM 4保持一致。英特将计算与高速内存带宽结合，专利包括MoP
，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，专利以及一个堆叠的技术存储芯片。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，

根据英特尔的描述 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC提供了更快、XBM采用了后段晶体管设计 ，不过尚未进入商业化阶段 。被认为是HBM4的替代方案，容量也更大
，成本相比HBM4会更低。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更具可扩展性的处理。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，能够带来更高的带宽。

以及功率等方面取得平衡 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，相较于HBM，性能指标和商业化时间表来看，后端金属互连层） ，

虽然LPDDR更高效
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
 。但是也存在带宽不足的问题 。采用3D堆叠芯片解决方案。更高效、包括一个封装基板、预计2030年前后实现商业化 。

从目标定位 、过去几年里 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。前一段时间高通提出了HBC架构，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，